2019 क्यू 2 ह्निक्स द्वितीय पिढी 10nm प्रक्रिया मेमरी तयार करेल

  एसके ह्निक्सने अलीकडेच उघड केले की कंपनी आपली पहिली पिढी 10 नॅनोमीटर उत्पादन प्रक्रिया (म्हणजे 1 एक्स एनएम) डीआरएएम उत्पादन वाढवेल आणि दुस second्या पिढीतील 10 नॅनोमीटर उत्पादन तंत्रज्ञान (ज्याला 1Y एनएम देखील म्हटले जाते) विक्री सुरू करेल. वर्ष मेमरी. 10nm तंत्रज्ञानाकडे संक्रमण वेगवान केल्याने कंपनीला डीआरएएम उत्पादन वाढविण्यास अनुमती मिळेल, शेवटी खर्च कमी होईल आणि पुढच्या पिढीच्या मेमरीची तयारी होईल.

एसके ह्निक्स 1 वाय एनएम उत्पादन तंत्रज्ञानाचा वापर करून उत्पादित केलेली प्रथम उत्पादने त्याची 8 जीबी डीडीआर 4-3200 मेमरी चिप असेल. निर्माता म्हणतो की ते 8 जीबी डीडीआर 4 उपकरणांचे चिप आकार 20% कमी करू शकेल आणि त्याच्या 1 एक्स एनएम उत्पादन तंत्रज्ञानाचा वापर करून बनावटीच्या तत्सम उपकरणांच्या तुलनेत त्याचा वीज वापर 15% कमी करू शकेल. याव्यतिरिक्त, एसके ह्निक्सच्या आगामी 8 जीबी डीडीआर 4-3200 चिपमध्ये दोन महत्त्वपूर्ण सुधारणा आहेतः 4-फेज क्लोकिंग स्कीम आणि सेन्स एम्पलीफायर नियंत्रण तंत्रज्ञान.

जरी या वर्षी डीडीआर 4 साठी ही तंत्रज्ञान महत्त्वपूर्ण आहेत, असे म्हणतात की एसके ह्निक्स डीडीआर 5, एलपीडीडीआर 5 आणि जीडीडीआर 6 डीआरएएम तयार करण्यासाठी 1Y एनएम उत्पादन प्रक्रिया वापरतील. म्हणूनच, भविष्यकाळात तयारीसाठी हिनिक्सने शक्य तितक्या लवकर दुसर्‍या पिढीतील 10 नॅनोमीटर उत्पादन तंत्रज्ञान श्रेणीसुधारित करणे आवश्यक आहे.